Pat
J-GLOBAL ID:200903071772184034

パターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 渡辺 徳廣
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006276896
Publication number (International publication number):2008096596
Application date: Oct. 10, 2006
Publication date: Apr. 24, 2008
Summary:
【課題】パターン露光のみで基板表面に化学活性基パターンを形成するパターン形成方法を提供する。【解決手段】基板上に、疎水性の光分解性基で保護され、光照射によりアミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基またはスルホ基から選ばれる親水性基を生起する感光性有機材料を付与して感光性有機材料層を形成する工程、前記感光性有機材料層に選択的にパターンの露光を行ない、露光部に前記親水性基を生起させる工程、前記露光後の感光性有機材料層上に親水性セグメントと疎水性セグメントとを有するブロックポリマーを付与し、前記露光により生起した親水性基の有る部分と無い部分に前記ブロックポリマー中の親水性セグメントと疎水性セグメントとを分離する工程、及び分離されたセグメントの一方を除去し、他方のセグメントからなるパターンを形成する工程を有するパターンの形成方法。【選択図】図1
Claim (excerpt):
基板上に、疎水性の光分解性基で保護され、光照射によりアミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基またはスルホ基から選ばれる親水性基を生起する感光性有機材料を付与して感光性有機材料層を形成する工程、前記感光性有機材料層に選択的にパターンの露光を行ない、露光部に前記親水性基を生起させる工程、前記露光後の感光性有機材料層上に親水性セグメントと疎水性セグメントとを有するブロックポリマーを付与し、前記露光により生起した親水性基の有る部分と無い部分に前記ブロックポリマー中の親水性セグメントと疎水性セグメントとを分離する工程、及び分離されたセグメントの一方を除去し、他方のセグメントからなるパターンを形成する工程を有することを特徴とするパターンの形成方法。
IPC (5):
G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/075 ,  G03F 7/36 ,  G03F 7/38
FI (6):
G03F7/004 521 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 568 ,  G03F7/075 501 ,  G03F7/36 ,  G03F7/38 512
F-Term (24):
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC07 ,  2H025AC08 ,  2H025BE01 ,  2H025BH03 ,  2H025CC06 ,  2H025FA12 ,  2H025FA20 ,  2H096AA25 ,  2H096BA20 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096EA08 ,  2H096FA10 ,  2H096GA37 ,  5F046JA22
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (5)
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