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J-GLOBAL ID：201203060498310536

ZnOクバン混合物を含む調製物、及び前記調製物を用いるZnO半導体層製造方法

Inventor： ハイコ ティーム ,  ユルゲン シュタイガー ,  アレクセイ メルクロフ ,  ドゥイ ヴ ファム ,  イルマズ アクス ,  シュテファン シュッテ ,  マティアス ドリース
Applicant, Patent owner： エボニック デグサ ゲーエムベーハー
Agent (8)： 久野 琢也 ,  矢野 敏雄 ,  高橋 佳大 ,  来間 清志 ,  星 公弘 ,  二宮 浩康 ,  篠 良一 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2011536814
Publication number (International publication number)：2012509403
Application date： Nov. 04, 2009
Publication date： Apr. 19, 2012
Summary：

本発明は、a)SATP条件で固体の少なくとも1つのZnOクバン、及びSATP条件で液体の少なくとも1つのZnOクバンという、少なくとも2つの異なるZnOクバンと、b)少なくとも1つの溶剤とを含む調製物、この調製物からZnO半導体層を製造する方法、並びに電子部材自体に関する。

Claim (excerpt)：

a)以下の少なくとも2つの異なるZnOクバン i)SATP条件で固体の少なくとも1つのZnOクバン、及び ii)SATP条件で液体の少なくとも1つのZnOクバン、並びに、 b)少なくとも1つの溶剤 を含む調製物。

IPC (2)：

C23C 18/12 ,  C01G 9/02

FI (2)：

C23C18/12 ,  C01G9/02 A

F-Term (23)：

4G047AA02 ,  4G047AB01 ,  4G047AC03 ,  4G047AD02 ,  4K022AA03 ,  4K022AA05 ,  4K022AA13 ,  4K022AA16 ,  4K022AA20 ,  4K022AA31 ,  4K022AA41 ,  4K022BA15 ,  4K022BA25 ,  4K022BA33 ,  4K022CA12 ,  4K022DA06 ,  4K022DA09 ,  4K022DB01 ,  4K022EA01 ,  5F053BB09 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053PP03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 透明導電膜形成用組成物及び透明導電膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-323841   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及び亜鉛化合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-271707   Applicant：株式会社ADEKA