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J-GLOBAL ID:200903024220881000
薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及び亜鉛化合物
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
羽鳥 修
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006271707
Publication number (International publication number):2008088511
Application date: Oct. 03, 2006
Publication date: Apr. 17, 2008
Summary:
【課題】薄膜に亜鉛を供給するプレカーサに対して、好適な反応性及び揮発性等の性質を付与することにあり、特にCVD法における酸化による薄膜製造に好適な反応性及び揮発性等の性質を付与すること。【解決手段】下記一般式(1)で表される亜鉛化合物を含有してなる薄膜形成用原料。(式中、R1は、炭素数1〜4のアルキル基を表し、R2及びR3は、各々独立して水素原子または炭素数1〜4のアルキル基を表し、R4は炭素数1〜4のアルキル基を表し、R5は、炭素数1〜4のアルキル基または-CH2-CH2-NR6R7を表し、R6及びR7は炭素数1〜4のアルキル基を表し、Xは、酸素原子または窒素原子を表し、mは、Xが酸素原子の場合は0であり、Xが窒素原子の場合は1である。)【選択図】なし
Claim (excerpt):
下記一般式(1)で表される亜鉛化合物を含有してなる薄膜形成用原料。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (10):
4H048AA01
, 4H048AA03
, 4H048AB78
, 4H048VA67
, 4K030AA11
, 4K030AA14
, 4K030AA16
, 4K030BA47
, 4K030CA05
, 4K030FA10
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
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特公平6-64738号公報(特に、[請求項9])
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酸化亜鉛光触媒薄膜の処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-044216
Applicant:独立行政法人物質・材料研究機構
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薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-175122
Applicant:旭電化工業株式会社
Cited by examiner (5)
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化学気相成長用原料及び薄膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-155543
Applicant:旭電化工業株式会社
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特開昭61-287032
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金属錯体を原料とする試薬
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平9-501754
Applicant:アドバンスド.テクノロジー.マテリアルズ.インコーポレイテッド
-
酸化亜鉛光触媒薄膜の処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-044216
Applicant:独立行政法人物質・材料研究機構
-
薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-175122
Applicant:旭電化工業株式会社
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