磁気抵抗素子及び磁気メモリ

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Applicant, Patent owner： ,
Agent (22)：蔵田昌俊 , 高倉成男 , 河野哲 , 中村誠 , 福原淑弘 , 峰隆司 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 幸長保次郎 , 河野直樹 , 砂川克 , 井関守三 , 佐藤立志 , 岡田貴志 , 堀内美保子 , 竹内将訓 , 勝沼宏仁 , 佐藤泰和 , 川崎康 , 関根毅 , 赤岡明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010208042
Publication number (International publication number)：2012064774
Application date： Sep. 16, 2010
Publication date： Mar. 29, 2012
Summary：

【課題】熱的に安定であると同時に低電流での磁化反転が可能なスピン注入書き込み方式の磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】本実施形態の磁気抵抗素子は、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する第1磁性層と、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する第2磁性層と、第1磁性層と第2磁性層との間に設けられた非磁性層と、を備え、第1磁性層および第2磁性層のうちの少なくとも一方が、第1磁性膜と、非磁性層側に設けられた第2磁性膜とが積層された構造を有し、第2磁性膜が、磁性材料層と非磁性材料層とが少なくとも2周期以上繰り返して積層された構造を有し、第2磁性膜の前記非磁性材料層が、Ta、W、Hf、Zr、Nb、Mo、Ti、V、Crの中から選ばれる少なくとも1つの元素を含み、第1磁性層と第2磁性層との間を、非磁性層を介して電流を流すことにより第1磁性層および第2磁性層の一方の磁化方向が可変となる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

膜面垂直方向に磁化容易軸を有する第1磁性層と、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた非磁性層と、を備え、前記第1磁性層および前記第2磁性層のうちの少なくとも一方が、第1磁性膜と、前記非磁性層側に設けられた第2磁性膜とが積層された構造を有し、前記第2磁性膜が、磁性材料層と非磁性材料層とが少なくとも2周期以上繰り返して積層された構造を有し、前記第2磁性膜の前記非磁性材料層が、Ta、W、Hf、Zr、Nb、Mo、Ti、V、Crの中から選ばれる少なくとも1つの元素を含み、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間を、前記非磁性層を介して電流を流すことにより前記第1磁性層および前記第2磁性層の一方の磁化方向が可変となることを特徴する磁気抵抗素子。

IPC (6)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 43/08 , H01F 10/32 , H01F 10/16 , H01L 29/82

FI (6)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , H01L43/08 M , H01F10/32 , H01F10/16 , H01L29/82 Z

F-Term (42)：

4M119AA03 , 4M119AA06 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD07 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE23 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 5E049AA04 , 5E049BA06 , 5E049CB02 , 5F092AA08 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092AD26 , 5F092BB10 , 5F092BB23 , 5F092BB34 , 5F092BB36 , 5F092BB43 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC18 , 5F092BE06 , 5F092BE13 , 5F092BE14 , 5F092BE21 , 5F092BE24

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

記憶素子、メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-335016 Applicant：ソニー株式会社
記憶素子及びメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-291759 Applicant：ソニー株式会社
磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-248251 Applicant：株式会社東芝

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