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J-GLOBAL ID：200903024591557680

記憶素子、メモリ

Inventor： 肥後 豊 ,  細見 政功 ,  大森 広之 ,  山元 哲也 ,  山根 一陽 ,  大石 雄紀 ,  鹿野 博司
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (2)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006335016
Publication number (International publication number)：2008147522
Application date： Dec. 12, 2006
Publication date： Jun. 26, 2008
Summary：

【課題】スピンポンピング現象の発生を抑制することができると共に、充分な熱安定性を有する記憶素子を提供する。【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層32に、トンネル絶縁層16を介して磁化固定層31が設けられ、積層方向に電流を流してスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層32の磁化M1の向きが変化して、情報が記録される記憶素子3において、記憶層32の磁化固定層31とは反対側に、スピン偏極した電子の拡散を抑制するスピンバリア層18を設け、このスピンバリア層18の記憶層32とは反対側に、スピンポンピング現象を起こす非磁性金属層からなるスピン吸収層19を設け、スピンバリア層18を、酸化物、窒化物、フッ化物から選ばれる1種以上の材料から構成する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、 前記記憶層に対して、トンネル絶縁層を介して、磁化固定層が設けられ、 積層方向に電流を流して、スピン偏極した電子を注入することにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われる記憶素子であって、 前記記憶層の前記磁化固定層とは反対側に、スピン偏極した電子の拡散を抑制するスピンバリア層が設けられ、 前記スピンバリア層の前記記憶層とは反対側に、スピンポンピング現象を起こす非磁性金属層からなるスピン吸収層が設けられ、 前記スピンバリア層が、酸化物、窒化物、フッ化物から選ばれる1種以上の材料から構成されている ことを特徴とする記憶素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (2)：

H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447

F-Term (48)：

4M119AA03 ,  4M119AA06 ,  4M119AA10 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD02 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD08 ,  4M119DD09 ,  4M119DD25 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF13 ,  4M119FF16 ,  4M119GG01 ,  4M119JJ09 ,  5F092AA04 ,  5F092AA20 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB51 ,  5F092BB53 ,  5F092BB90 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC22 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-203934   Applicant：財団法人理工学振興会, 財団法人神奈川科学技術アカデミー
• 磁気抵抗効果ヘッド及び磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-008172   Applicant：株式会社日立製作所
• 磁気ヘッド、磁気ヘッドジンバルアッセンブリ、磁気記録再生装置及び磁性メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-083869   Applicant：株式会社日立製作所
• 記憶素子及びメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-291759   Applicant：ソニー株式会社
• スピンメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-106491   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-047633   Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (5)

• 磁気抵抗効果ヘッド及び磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-008172   Applicant：株式会社日立製作所
• 磁気ヘッド、磁気ヘッドジンバルアッセンブリ、磁気記録再生装置及び磁性メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-083869   Applicant：株式会社日立製作所
• 記憶素子及びメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-291759   Applicant：ソニー株式会社
• スピンメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-106491   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-047633   Applicant：ソニー株式会社