グラフェン電子素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：渡邊隆 , 実広信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011230617
Publication number (International publication number)：2012119665
Application date： Oct. 20, 2011
Publication date： Jun. 21, 2012
Summary：

【課題】グラフェン電子素子を提供する。【解決手段】ゲート電極、ゲート電極上に配置されたゲート酸化物、ゲート酸化物上のグラフェンチャネル層、グラフェンチャネル層の両端にそれぞれ配置されたソース電極及びドレイン電極を備えるグラフェン電子素子。グラフェンチャネル層には、複数のナノホールがグラフェンチャネル層の幅方向に一つの列で形成される。更にグラフェンチャネル層には、複数のナノホールがグラフェンチャネル層の長手方向に実質的に直交して配置される。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

ゲート電極と、前記ゲート電極上に配置されたゲート酸化物と、前記ゲート酸化物上のグラフェンチャネル層と、前記グラフェンチャネル層の両端にそれぞれ配置されたソース電極とドレイン電極と、を備え、前記グラフェンチャネル層には複数のナノホールが形成されたグラフェン電子素子。

IPC (5)：

H01L 29/786 , B82Y 30/00 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 29/06

FI (7)：

H01L29/78 618C , B82Y30/00 , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/28 100A , H01L29/28 250E , H01L29/06 601N

F-Term (15)：

5F110AA01 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE08 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG19 , 5F110GG23 , 5F110GG29 , 5F110NN04 , 5F110NN23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置、半導体装置の製造方法およびトランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-126441 Applicant：富士通株式会社
炭素材料とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-315617 Applicant：日本電気株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

'Graphene nanomesh'

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