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J-GLOBAL ID：201203077785443377

金属塩化物ガスの発生装置および金属塩化物ガスの発生方法、並びに、ハイドライド気相成長装置、窒化物半導体ウエハ、窒化物半導体デバイス、窒化物半導体発光ダイオード用ウエハ、窒化物半導体自立基板の製造方法および窒化物半導体結晶

Inventor：
藤倉 序章

About 藤倉 序章


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (3)： 油井 透 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011121737
Publication number (International publication number)：2012248803
Application date： May. 31, 2011
Publication date： Dec. 13, 2012
Summary：
【課題】金属塩化物ガス濃度の安定性の向上と金属塩化物ガスの濃度変化の応答性の向上が図れる金属塩化物ガスの発生装置を提供する。【解決手段】金属原料Mを収容する原料容器1と、原料容器1内に塩素系ガスを含む塩素系含有ガスG1を供給する、原料容器1に設けられたガス供給口2と、塩素系含有ガスG1に含まれる塩素系ガスと金属原料Mとの反応により生成される金属塩化物ガスを含む金属塩化物含有ガスG2を原料容器1外に排出する、原料容器1に設けられたガス排出口2と、原料容器1内の金属原料Mの上方の空間Sを仕切って、ガス供給口2からガス排出口3へと続くガス流路Pを形成する仕切板6とを備え、ガス流路Pは、ガス供給口2からガス排出口3へと至る一通りの経路Rとなるように形成され、ガス流路Pの水平方向の流路幅Wが5cm以下であり、且つガス流路Pには屈曲部Eを有する金属塩化物ガスの発生装置である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
金属原料を収容する原料容器と、 前記原料容器内に塩素系ガスを含む塩素系含有ガスを供給する、前記原料容器に設けられたガス供給口と、 前記塩素系含有ガスに含まれる塩素系ガスと前記金属原料との反応により生成される金属塩化物ガスを含む金属塩化物含有ガスを前記原料容器外に排出する、前記原料容器に設けられたガス排出口と、 前記原料容器内の前記金属原料の上方の空間を仕切って、前記ガス供給口から前記ガス排出口へと続くガス流路を形成する仕切板とを備え、 前記ガス流路は、前記ガス供給口から前記ガス排出口へと至る一通りの経路となるように形成され、前記ガス流路の水平方向の流路幅が5cm以下であり、且つ前記ガス流路には屈曲部を有することを特徴とする金属塩化物ガスの発生装置。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/448
FI (2)：
H01L21/205 ,  C23C16/448
F-Term (25)：
4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030KA03 ,  4K030KA23 ,  4K030KA25 ,  4K030LA14 ,  5F045AA01 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC19 ,  5F045BB04 ,  5F045CA09 ,  5F045DA59 ,  5F045DP09 ,  5F045DQ03 ,  5F045EE02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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