窒化物系III-V族化合物半導体の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998252664
Publication number (International publication number)：2000091234
Application date： Sep. 07, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明は、窒化物系III-V族化合物半導体の気相成長方法及びこの方法を用いた半導体素子の製造方法に関し、特に青色発光素子の従来構造におけるn型化合物半導体層の低抵抗化を行い、デバイス特性が劣化しない化合物半導体素子の製造方法を提供すること、及び上記n型化合物半導体層をn型低抵抗基板として分離することにより、n型、p型電極の対極構造を有する半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ハロゲン輸送法によるIII-V族化合物半導体の気相成長方法において、SiHxCl4-X(x=1、2、3)をドーピング原料ガスとしてSiドーピングを行うことにより、n型化合物半導体層の低抵抗化が可能となる。さらに、この層は厚膜化が可能なため、この層をn型低抵抗基板として分離が可能であり、n型、p型電極の対極構造を有する半導体素子の製造が可能となる。

Claim (excerpt)：

III族元素のハロゲン化物と窒素元素を含む化合物を反応させ、窒化物系III-V族化合物半導体層を気相成長させる方法であって、この気相成長時に、SiHxCl4-X(x=1、2、3)をドーピング原料ガスとしてSiドーピングを行うことを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体の気相成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , C30B 31/00 , H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/205 , C30B 31/00 , H01L 33/00 C

F-Term (32)：

4G077AA03 , 4G077BE41 , 4G077DB05 , 4G077EB01 , 4G077ED06 , 5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA57 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC03 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AC19 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045BB09 , 5F045CA01 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA55 , 5F045DA66

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開昭63-178516
特開昭63-174315
特開昭48-051584

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Cited by examiner (4)

特開昭63-178516
特開昭63-174315
特開昭48-051584

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