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J-GLOBAL ID：201203078959775990

スピン伝導素子

Inventor：
佐々木 智生

About 佐々木 智生


Applicant, Patent owner：
TDK株式会社

About TDK株式会社


Agent (4)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  三上 敬史 ,  石坂 泰紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011009234
Publication number (International publication number)：2012151307
Application date： Jan. 19, 2011
Publication date： Aug. 09, 2012
Summary：
【課題】 Hanle効果を利用可能なスピン伝導素子を提供する。【解決手段】 電子流源Eにより、第1強磁性層1と第1電極4との間に電子流が供給されると、半導体層3内を電子が流れると共に、スピンが拡散する。このスピン流は、第2強磁性層2方向にも流れ、スピンの磁化方向に依存して、第2強磁性層2内に吸収される。スピン伝導素子における第1配線8aに電流を供給すると、その周囲に磁場Bが発生するが、半導体層3Cをスピンが走行する領域内において、磁場Bが印加されると、磁場Bの影響を受けて、スピンの方向が変わる。したがって、この磁場Bを制御することで、第2強磁性層2内に吸収されるスピン量を制御することができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
半導体層と、 前記半導体層上に第1トンネル障壁層を介して設けられた第1強磁性層と、 前記半導体層上に、前記第1強磁性層から離間し、第2トンネル障壁層を介して設けられた第2強磁性層と、 電流が供給されることにより、前記半導体層における、前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に領域内に、磁場を発生させる第1配線と、 を備えることを特徴とするスピン伝導素子。
IPC (3)：
H01L 29/82 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824
FI (2)：
H01L29/82 Z ,  H01L27/10 447
F-Term (9)：
4M119AA17 ,  4M119BB20 ,  4M119CC02 ,  5F092AC21 ,  5F092BD03 ,  5F092BD04 ,  5F092BD14 ,  5F092BD15 ,  5F092BD19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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