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J-GLOBAL ID：201203088937970060

成膜方法及び成膜装置

Inventor： 中西 和之 ,  伊関 崇 ,  小澤 康弘 ,  山田 由香 ,  水野 誠司 ,  佐藤 克己 ,  小泉 雅史 ,  舟木 義行 ,  近藤 恭二 ,  菊地 孝行
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社 ,  日本電子工業株式会社
Agent (1)： 大川 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010139602
Publication number (International publication number)：2012001789
Application date： Jun. 18, 2010
Publication date： Jan. 05, 2012
Summary：

【課題】 均一成膜及び成膜面積の大面積化を可能とし、基材表面の全面への同時成膜を可能とする成膜方法及び成膜装置を提供する。【解決手段】 本発明の成膜方法は、成膜炉1と、送り出しリール21と巻取りリール22とからなる一対の回転電極リール2と、プラズマ電源3と、原料ガス供給手段4と、排気手段5と、を備える成膜装置を用いたプラズマCVD法による成膜方法であって、リール間基材部63の全面が原料ガスに接するように導電性基材6を該送り出しリール21から送り出し該巻取りリール22で巻取りながら、該プラズマ電源3から該回転電極リール2に負電圧を印加して該リール間基材部63の該基材表面に沿ってプラズマシースPを形成するとともに、該原料ガスを該プラズマシースPで活性化して該基材表面に接触させることにより該基材表面に該膜を形成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

成膜炉と、 該成膜炉内に配置され送り出しリールと巻取りリールとからなる一対の回転電極リールと、 該成膜炉を陽極とし該回転電極リールを陰極として電圧を印加可能なプラズマ電源と、 膜の成分となる原料ガスを該成膜炉内に供給する原料ガス供給手段と、 該成膜炉内を真空排気する排気手段と、 を備える成膜装置を用いて、 該排気手段により該成膜炉内を真空排気するとともに該原料ガス供給手段により該原料ガスを該成膜炉内に供給して、プラズマCVD法によって長尺状の導電性基材の基材表面に該膜を形成する成膜方法であって、 該送り出しリールに巻かれた状態にある円筒形状を呈する導電性基材を送り出し基材部とし、該巻取りリールに巻取られた状態にある円筒形状を呈する導電性基材を巻取り基材部とし、該送り出しリール及び該巻取りリール間に位置する導電性基材をリール間基材部としたとき、 該リール間基材部の全面が該原料ガスに接するように該導電性基材を該送り出しリールから送り出し該巻取りリールで巻取りながら、該プラズマ電源から該回転電極リールに負電圧を印加して該リール間基材部の該基材表面に沿ってプラズマシースを形成するとともに、該原料ガスを該プラズマシースで活性化して該基材表面に接触させることにより該基材表面に該膜を形成することを特徴とする成膜方法。

IPC (2)：

C23C 16/54 ,  C23C 16/50

FI (2)：

C23C16/54 ,  C23C16/50

F-Term (7)：

4K030AA09 ,  4K030BA28 ,  4K030BB05 ,  4K030CA02 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030KA16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開昭64-015240
  
• 特許第6705245号
  
• 薄膜形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-148215   Applicant：ソニー株式会社, 株式会社半導体エネルギー研究所