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J-GLOBAL ID：201203093882273325

半導体光素子および半導体光装置

Inventor：
小川 新平

About 小川 新平


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (4)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫 ,  中野 晴夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012072664
Publication number (International publication number)：2012177696
Application date： Mar. 28, 2012
Publication date： Sep. 13, 2012
Summary：
【課題】フィルタ構造を用いずに所定の波長の光を選択的に検出できる半導体光素子および半導体光装置を提供する。【解決手段】温度検知部と、温度検知部に熱的に接続された吸収部10とを含み、吸収部10に入射した光を検出する半導体光素子であって、吸収部10が、特定波長を表面に結合させる表面プラズモンを誘起するように表面にアレイ状に配置された凹部11および凸部を有し、特定波長の入射光の吸収量を、特定波長以外の入射光の吸収量より大きくする。また、複数の半導体光素子をアレイ状に配置する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
温度検知部と、該温度検知部に熱的に接続された吸収部とを含み、該吸収部に入射した光を検出する半導体光素子であって、 該吸収部が、特定波長を表面に結合させる表面プラズモンを誘起するように表面にアレイ状に配置された凹部および凸部を有し、該特定波長の入射光の吸収量を、該特定波長以外の入射光の吸収量より大きくしたことを特徴とする半導体光素子。
IPC (2)：
G01J 1/02 ,  H01L 31/10
FI (2)：
G01J1/02 C ,  H01L31/10 A
F-Term (21)：
2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA02 ,  2G065BA34 ,  2G065BB25 ,  2G065BB43 ,  2G065BB50 ,  5F049MA01 ,  5F049MB03 ,  5F049NA01 ,  5F049NA10 ,  5F049NB10 ,  5F049QA01 ,  5F049QA20 ,  5F049RA02 ,  5F049RA10 ,  5F049SE05 ,  5F049SS03 ,  5F049SS06 ,  5F049SZ20 ,  5F049WA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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