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J-GLOBAL ID：201203097404993130

半導体光素子

Inventor： 朱 雷 ,  関口 茂昭 ,  河口 研一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (2)： 土井 健二 ,  林 恒徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010150105
Publication number (International publication number)：2012013935
Application date： Jun. 30, 2010
Publication date： Jan. 19, 2012
Summary：

【課題】半導体光素子の消費電力または素子長を小さくする。【解決手段】第1クラッド層4と、第2クラッド層6と、第1クラッド層4と第2クラッド層6に挟まれた光導波層8とを有し、光導波層8は、第1半導体層10と、第1半導体層10上に設けられ一方向に延在する第2半導体層12とを有し、第1半導体層10は、第2半導体層12の片側に設けられたn型領域14と、第2半導体層の反対側に設けられたp型領域16と、n型領域14とp型領域16の間に設けられたi型領域18とを有し、第2半導体層12は、第1半導体層10より狭いバンドギャップを有する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

第1クラッド層と、第2クラッド層と、前記第1クラッド層と前記第2クラッド層に挟まれた光導波層とを有し、 前記光導波層は、第1半導体層と、前記第1半導体層上に設けられ一方向に延在する第2半導体層とを有し、 前記第1半導体層は、前記第2半導体層の片側に設けられたn型領域と、前記第2半導体層の反対側に設けられたp型領域と、前記n型領域と前記p型領域の間に設けられたi型領域とを有し、 前記第2半導体層は、前記第1半導体層より狭いバンドギャップを有する 半導体光素子。

IPC (2)：

G02F 1/025 ,  G02B 6/122

FI (2)：

G02F1/025 ,  G02B6/12 A

F-Term (28)：

2H079AA05 ,  2H079AA12 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079BA03 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA05 ,  2H079EA07 ,  2H079EB05 ,  2H079HA11 ,  2H147AB02 ,  2H147AB11 ,  2H147AB32 ,  2H147AC02 ,  2H147BA05 ,  2H147BE01 ,  2H147BE22 ,  2H147DA09 ,  2H147EA02B ,  2H147EA12A ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14B ,  2H147EA14C ,  2H147GA10 ,  2H147GA29

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体光変調器およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-062683   Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (1)

• 半導体光変調器およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-062683   Applicant：三菱電機株式会社