Art

J-GLOBAL ID：201302204479478766   Reference number：13A1826605

Interface-State-Density Evaluation of p-type and n-type Ge/GeN_x Structures by Conductance Technique

ECRプラズマ法によって作製したp型並びにn型GeN_x/Ge構造のコンダクタンス法による界面準位密度評価

Author (5)： IWASAKI TAKURO (弘前大学) ,  ONO TOSHIRO (弘前大学) ,  OTANI YOHEI (諏訪東京理科大学) ,  FUKUDA YUKIO (諏訪東京理科大学) ,  OKAMOTO HIROSHI (弘前大学)
Material： 電気学会論文誌 C  (IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
Volume： 133  Issue： 7  Page： 1279-1284 (J-STAGE)  Publication year： 2013 
JST Material Number： S0810A  ISSN： 0385-4221  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： conductance ,  Germanium ,  *surface level ,  *electron cyclotron resonance plasma ,  temperature dependence ,  *plasma
Semi thesaurus term： germanium ,  *interface state

JST classification (1)： Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P)

Reference (17)：

• CHUI, C. O. A sub-400°C germanium MOSFET technology with high-k dielectric and metal gate. IEDM Tech. Dig., 2002. 2002, 437-440
• SHANG, H. Electrical characterization of germanium p-channel MOSFETs. IEEE Electron Devices. 2003, 24, 4, 242-244
• RITENOUR, A. Epitaxial strained germanium p-MOSFETs with HfO_2 gate dielectrics and TaN gate electrode. IEDM Tech. Dig., 2003. 2003, 433-436
• YU, D. S. Al_2O_3-Ge-on-insulator n- and p-MOSFETs with fully NiSi and NiGe dual gates. IEEE Electron Devices. 2004, 25, 3, 138-140
• BAI, W. P. Ge n-MOSFETs on lightly doped substrates with high-k dielectric and TaN gate. IEEE Electron Devices. 2006, 27, 3, 175-178

Terms in the title (6)： ECRプラズマ ,  作製 ,  Ge ,  コンダクタンス ,  界面準位密度 ,  評価