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J-GLOBAL ID：201302207278931747   Reference number：13A0680659

Microscopic Thickness Uniformity and Time-Dependent Dielectric Breakdown Lifetime Dispersion of Thermally Grown Ultrathin SiO₂ Film on Atomically Flat Si Surface

原子的に平坦なシリコン表面上に熱的に成長させた超薄SiO₂膜の微視的厚さの均一性および時間依存誘電破壊寿命時間分散

Author (4)： HASUNUMA Ryu (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  HAYASHI Yusuke (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  OTA Masahiro (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  YAMABE Kikuo (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 52  Issue： 3,Issue 1  Page： 031301.1-031301.6  Publication year： Mar. 25, 2013 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,  flatness(property) ,  length ,  *oxide film ,  *silicon dioxide ,  *ultrathin film ,  film thickness ,  homogeneity ,  dielectric breakdown ,  lifetime ,  surface roughness ,  microscopy ,  uplift(phenomenon) ,  reliability(property)
Semi thesaurus term： Weibull傾斜 ,  terrace ,  impression ,  atomic-scale ,  atomic force microscopy ,  protrusion ,  *thermally grown oxide layer ,  dielectric breakdown

JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (31)：

• 1) R. Hasunuma, J. Okamoto, N. Tokuda, and K. Yamabe: Jpn. J. Appl Phys.43 (2004) 7861.
• 2) P. O. Hahn and M. Hanzler: J. Appl. Phys. 52 (1981) 4122.
• 3) Z. Lu, S. Sato, R. Hasunuma, and K. Yamabe: J. Phys : Conf. Ser. 191 (2009) 012032.
• 4) Y. Kabe, J. Kitagawa, Y. Hirota, S. Sato, M. Sometani, R. Hasunuma, and K. Yamabe: ECS Trans. 25 [6] (2009) 371.
• 5) I. C. Chen, S. E. Holland, and C. Hu: IEEE Trans. Electron Devices 32 (1985) 413.

Terms in the title (9)： 原子 ,  シリコン ,  成長 ,  SiO2 ,  厚さ ,  均一性 ,  時間依存 ,  誘電破壊 ,  寿命