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J-GLOBAL ID：201302207686160279   Reference number：13A1314273

Single-photon emission in telecommunication band from an InAs quantum dot grown on InP with molecular-beam epitaxy

分子ビームエピタクシーによりInP上に成長させたInAs量子ドットからの通信帯での単一光子放出

Author (7)： LIU X. (Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ., Sapporo 001-0021, JPN) ,  AKAHANE K. (National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 184-8795, JPN) ,  JAHAN N. A. (Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ., Sapporo 001-0021, JPN) ,  KOBAYASHI N. (Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ., Sapporo 001-0021, JPN) ,  SASAKI M. (National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 184-8795, JPN) ,  KUMANO H. (Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ., Sapporo 001-0021, JPN) ,  SUEMUNE I. (Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ., Sapporo 001-0021, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 103  Issue： 6  Page： 061114-061114-4  Publication year： Aug. 05, 2013 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MBE growth ,  indium phosphide ,  compound semiconductor ,  semiconductor material ,  indium arsenide ,  *quantum dot ,  optical communication ,  photon ,  *light source ,  single photon ,  *single photon source ,  *semiconductor quantum dot

JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (6)： 分子ビームエピタクシー ,  InP ,  成長 ,  InAs量子ドット ,  単一光子 ,  放出