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J-GLOBAL ID：201302209212113078   Reference number：13A0673041

MOLECULAR DYNAMICS SIMULATION OF THE SOLID-PHASE EPITAXIAL GROWTH OF SILICON GERMANIUM THIN FILM

シリコンゲルマニウム薄膜の固相エピタキシャル成長の分子動力学シミュレーション

Author (3)： YOSHIMARU Y. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  MATSUMOTO Y. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO Y. (Hosei Univ., Tokyo, JPN)
Material： Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement  (法政大学イオンビーム工学研究所報告 別冊)
Issue： 31  Page： 47-50  Publication year： Mar. 2013 
JST Material Number： L0263A  ISSN： 0914-2908  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Computer Simulation ,  germanium containing alloy ,  *germanium base alloy ,  *silicon base alloy ,  silicon containing alloy ,  solid solution ,  thin film growth ,  surface roughness ,  amorphous semiconductor ,  solid phase growth ,  *epitaxy ,  *Molecular Dynamics Simulation ,  interface roughness ,  *solid phase epitaxial growth ,  computer application ,  utilization

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： シリコンゲルマニウム ,  薄膜 ,  固相エピタキシャル成長 ,  分子動力学シミュレーション