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J-GLOBAL ID：201302209929512996   Reference number：13A1300850

Determination of non-uniform graphene thickness on SiC (0001) by X-ray diffraction

X線回折によるSiC(0001)上の不均一グラフェン厚さの決定

Author (5)： RUAMMAITREE A. ,  NAKAHARA H. ,  AKIMOTO K. ,  SODA K. ,  SAITO Y.
Material： Applied Surface Science  (Appl Surf Sci)
Volume： 282  Page： 297-301  Publication year： Oct. 01, 2013 
JST Material Number： B0707B  ISSN： 0169-4332  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *X-Ray Diffraction ,  *silicon carbide ,  compound semiconductor ,  *carbon material ,  *epitaxy ,  *film thickness ,  *interlayer spacing ,  angle resolved spectroscopy ,  Photoelectron Spectroscopy ,  thermal decomposition ,  *graphene ,  angle-resolved photoemission spectroscopy
Semi thesaurus term： angle-resolved photoemission spectroscopy

JST classification (2)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Carbon and its compounds  (YB02060D)

Terms in the title (5)： X線回折 ,  SiC ,  不均一 ,  グラフェン ,  厚さ