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J-GLOBAL ID：201302211841699438   Reference number：13A0599683

Critical behavior of the metal-insulator transition in a doped semiconductor using density functional theory and local density approximation

密度汎関数法と局所密度近似を用いたドープ半導体の金属-絶縁体転移の臨界挙動

Author (2)： HARASHIMA Yosuke (Osaka Univ.) ,  SLEVIN Keith (Osaka Univ.)
Material： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
Volume： 68  Issue： 1 第2分冊  Page： 320  Publication year： Mar. 05, 2013 
JST Material Number： S0671B  ISSN： 1342-8349  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： density functional method ,  approximation method ,  *semiconductor ,  *metal-insulater transition ,  doping ,  *critical phenomenon
Semi thesaurus term： LDA

JST classification (1)： Metal-insulator transitions  (BM02110T)

Terms in the title (5)： 密度汎関数法 ,  局所密度近似 ,  ドープ ,  金属-絶縁体転移 ,  臨界挙動