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J-GLOBAL ID：201302214129935906   Reference number：13A1222901

Study on Near-interface Structures of Thermal Oxides Grown on 4H-SiC Characterized by Infrared Spectroscopy

FTIR-ATRスペクトルによる4H-SiCと熱酸化膜の界面構造の解析

Author (3)： KITA KOJI (東大 大学院工学系研究科) ,  KITA KOJI (JST-さきがけ) ,  HIRAI HIROHISA (東大 大学院工学系研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 113  Issue： 87(SDM2013 44-64)  Page： 97-100  Publication year： Jun. 11, 2013 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  silicon oxide ,  *thermal oxidation ,  *infrared spectrophotometry ,  surface structure ,  interface (surface) ,  dependence ,  film thickness ,  compressive stress ,  MOSFET ,  interface structure ,  film thickness dependence ,  structure
Semi thesaurus term： *4H-SiC

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： FTIR-ATR ,  スペクトル ,  4H-SiC ,  熱酸化膜 ,  界面構造 ,  解析