Art

J-GLOBAL ID：201302216923458783   Reference number：13A0215463

Local control of strain in SiGe by ion-implantation technique

イオン注入法によるSiGeにおける歪みの局所制御

Author (6)： SHIRAKI Y ,  NAKAGAWA K ,  USAMI N ,  HIRAOKA Y ,  HOSHI Y ,  SAWANO K
Material： JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Volume： 311  Issue： 3  Page： 806-808  Publication year： 2009 
JST Material Number： O2133A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (4)： イオン注入法 ,  SiGe ,  歪み ,  局所制御