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J-GLOBAL ID：201302217045217659   Reference number：13A1853514

Electromagnetic Field Analyses of OFET-Type THz Sensors Using the FDTD Method

FDTD法によるOFET型THzセンサの電磁界解析

Author (7)： UEDA TOMOYA (奈良先端科学技術大学院大) ,  LI Shi-Guang (奈良先端科学技術大学院大) ,  LI Shi-Guang (千葉大 大学院工学研究科) ,  SUZUKI RYO (奈良先端科学技術大学院大) ,  FUJII KATSUYUKI (南山大 情報工) ,  MATSUBARA RYOSUKE (奈良先端科学技術大学院大) ,  NAKAMURA MASAKAZU (奈良先端科学技術大学院大)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 113  Issue： 243(OME2013 51-67)  Page： 17-22  Publication year： Oct. 04, 2013 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *finite difference time domain method ,  *FET ,  *sensor ,  electromagnetic wave ,  *electromagnetic field analysis ,  polyacene ,  fluctuation ,  layer ,  field intensity ,  dielectric function ,  frequency dependence ,  *terahertz wave ,  organic layer ,  pentacene derivative
Semi thesaurus term： organic field-effect transistor ,  *OFET ,  pentacenes

JST classification (2)： Measuring methods and instruments of waveform,frequency,wavelength,phase  (AD07040Y) ,  Electromagnetism in general  (BD01020N)

Terms in the title (3)： FDTD法 ,  OFET ,  電磁界解析