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J-GLOBAL ID：201302218243354277   Reference number：13A0853039

MOVPEを用いたGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの作製

Author (3)： NAGASE MASANORI (産業技術総合研) ,  TAKAHASHI TOKIO (産業技術総合研) ,  SHIMIZU MITSUAKI (産業技術総合研)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 60th  Page： ROMBUNNO.29A-PB6-6  Publication year： Mar. 11, 2013 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *resonant tunneling diode ,  *gallium nitride ,  *aluminum nitride ,  *MOCVD ,  aluminum compound ,  gallium compound ,  nitride ,  device structure ,  sapphire ,  titanium ,  aluminum ,  gold ,  ohmic contact ,  electrode ,  silicon ,  *doping ,  secondary ion mass spectrometry ,  current-voltage characteristic ,  probe ,  analytical instrument ,  negative resistance ,  electric current ,  interface(surface)
Semi thesaurus term： バレー電流 ,  peak current ,  metal electrode ,  negative differential resistance ,  heterointerface ,  metal organic vapor phase epitaxy ,  aluminum gallium nitride

JST classification (1)： Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (5)： MOVPE ,  GaN ,  AlN ,  共鳴トンネルダイオード ,  作製