Art

J-GLOBAL ID：201302219175893390   Reference number：13A1220669

Effects of graphene thickness on the electrical properties of carbon nanotube field effect transistors with graphene contacts

グラフェン接触のカーボンナノチューブ電界効果トランジスタの電気特性に対するグラフェン厚の効果

Author (3)： TAMAOKI Masato (Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Nagoya 464-8603, JPN) ,  KISHIMOTO Shigeru (Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Nagoya 464-8603, JPN) ,  MIZUTANI Takashi (Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Nagoya 464-8603, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 103  Issue： 3  Page： 033120-033120-3  Publication year： Jul. 15, 2013 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： carbon material ,  *FET ,  thickness of strata ,  *carbon nanotube ,  electric current ,  mutual conductance ,  *contact resistance ,  current-voltage characteristic ,  *graphene
Semi thesaurus term： drain current

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： グラフェン ,  カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ ,  電気特性 ,  厚