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J-GLOBAL ID：201302219816239318   Reference number：13A1387056

Carbon doping in InGaAsSb films on (001) InP substrate using CBr₄ grown by metalorganic chemical vapor deposition

CBr₄を用いた有機金属化学気相堆積(MOCVD)法による(001)InP基板上InGaAsSb膜への炭素ドーピング

Author (7)： HOSHI T. (NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198 Japan) ,  SUGIYAMA H. (NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198 Japan) ,  YOKOYAMA H. (NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198 Japan) ,  KURISHIMA K. (NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198 Japan) ,  IDA M. (NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198 Japan) ,  MATSUZAKI H. (NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198 Japan) ,  TATENO K. (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198 Japan)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 380  Page： 197-204  Publication year： Oct. 01, 2013 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOCVD ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  arsenide ,  antimonide ,  *gallium compound ,  *indium compound ,  substrate(plate) ,  indium phosphide ,  *doping ,  carbon ,  flow rate ,  etching ,  decomposition ,  *bipolar transistor ,  heterojunction ,  *positive hole ,  *carrier density ,  aliphatic bromine compound

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Transistors  (NC03070N)

Substance index (1)： Carbon tetrabromide

Terms in the title (6)： 有機金属化学 ,  気相堆積 ,  MOCVD ,  法 ,  InP ,  炭素ドーピング