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J-GLOBAL ID：201302223417241870   Reference number：13A1884523

Structural analysis of SiC nanocrystallites with two types of defects by the molecular dynamics simulations

分子動力学法による二種類の欠陥を含んだSiC微結晶粒の構造解析

Author (2)： DAIMON NAOKI (石川工高専) ,  TAKESHITA TETSUYOSHI (石川工高専)
Material： 石川工業高等専門学校紀要  (Memoirs of National Institute of Technology, Ishikawa College)
Issue： 45  Page： 45-51  Publication year： Mar. 29, 2013 
JST Material Number： S0861A  ISSN： 0286-6110  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  nano crystal ,  *lattice defect ,  *stoichiometry ,  nonstoichiometry ,  chemical composition ,  cubic system ,  crystal structure ,  internuclear distance ,  interatomic potential ,  carrier mobility ,  *lattice distortion ,  *molecular dynamics ,  *Computer Simulation ,  compound semiconductor ,  structural relaxation ,  analytical model ,  defect density ,  antisite defect ,  *Molecular Dynamics Simulation ,  *computer application ,  *utilization
Semi thesaurus term： bond length ,  Tersoff potential

JST classification (2)： Crystal structure of other inorganic compounds  (BK07030J) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Reference (3)：

• 1)T. Takeshita :“Analysis and location of antisite defects in polycrystalline SiC”,Journal of Applied Physics 103,063521 (2008)
• 2)岡崎進:“コンピュータシミュレーションの基礎”化学同人,2000年
• 3)J. Tersoff :“New empirical approach for the structure and energy of covalent Systems”Physical Review B 37,6991 (1988)

Terms in the title (5)： 分子動力学法 ,  欠陥 ,  SiC ,  微結晶 ,  構造解析