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J-GLOBAL ID：201302228632219500   Reference number：13A0293113

Mapping of minority carrier lifetime distributions in multicrystalline silicon using transient electron-beam-induced current

過渡的電子ビーム誘起電流を使用した多結晶シリコンにおける少数キャリア寿命分布のマッピング

Author (5)： KUSHIDA Takuya (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TANAKA Shigeyasu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MORITA Chiaki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TANJI Takayoshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OHSHITA Yoshio (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
Material： Journal of Electron Microscopy  (J Electron Microsc)
Volume： 61  Issue： 5  Page： 293-298  Publication year： Oct. 2012 
JST Material Number： W1384A  ISSN： 0022-0744  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *minority carrier ,  *polysilicon ,  electron beam induced current ,  electric current ,  transient response ,  scanning transmisson electron microscope ,  signal modulation ,  *carrier lifetime ,  *wafer ,  *life distribution ,  solar cell ,  Polycrystalline silicon PV module
Semi thesaurus term： オンオフ変調 ,  transient current

JST classification (2)： Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (6)： 電子ビーム ,  誘起 ,  多結晶シリコン ,  少数キャリア寿命 ,  分布 ,  マッピング