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J-GLOBAL ID：201302230388546409   Reference number：13A1660398

GaN on Si Technologies for Power Switching Devices

パワースイッチングデバイスのためのGaNオンSi技術

Author (4)： ISHIDA Masahiro (Panasonic Corp. Nagaokakyo, JPN) ,  UEDA Tetsuzo (Panasonic Corp. Nagaokakyo, JPN) ,  TANAKA Tsuyoshi (Panasonic Corp. Nagaokakyo, JPN) ,  UEDA Daisuke (Panasonic Corp., Seika-cho, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 60  Issue： 10  Page： 3053-3059  Publication year： Oct. 2013 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *switching element ,  gallium nitride ,  inverter ,  *power transistor ,  semiconductor process ,  on resistance ,  carrier injection ,  semiconductor device ,  *charge injection device
Semi thesaurus term： GAN ,  power transistor

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： パワー ,  スイッチングデバイス ,  GaN ,  Si