Art

J-GLOBAL ID：201302233341815885   Reference number：13A1513840

Effect of Vacuum Annealing on Al₂O₃/GaSb MOS Interfaces

真空アニール法がAl₂O₃/GaSb MOS界面に与える影響

Author (8)： GOTO TAKAHIRO (東京理大 大学院) ,  GOTO TAKAHIRO (産業技術総合研) ,  FUJIKAWA SACHIE (東京理大 大学院) ,  FUJISHIRO HIROKI (東京理大 大学院) ,  OGURA MUTSUO (産業技術総合研) ,  YASUDA TETSUJI (産業技術総合研) ,  MAEDA TATSURO (東京理大 大学院) ,  MAEDA TATSURO (産業技術総合研)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 113  Issue： 176(ED2013 37-49)  Page： 37-42  Publication year： Aug. 01, 2013 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： MOSFET ,  *gallium antimonide ,  epitaxy ,  *vacuum treatment ,  oxidation ,  thermodesorption ,  thermal programmed desorption ,  *surface level ,  *annealing(heat treatment) ,  aluminum oxide ,  *MOS structure ,  MOCVD ,  gallium arsenide ,  substrate(plate) ,  buffer layer ,  mismatch dislocation ,  stress relaxation ,  dopant ,  N-type semiconductor ,  tellurium ,  carrier mobility ,  capacitance-voltage characteristic
Semi thesaurus term： GaSb ,  epitaxial growth ,  *interface state ,  thermal desorption ,  surface oxidation ,  ヒ化ガリウム基板 ,  electron mobility

JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (6)： 真空 ,  アニール ,  Al2O3 ,  GaSb ,  MOS ,  界面