Art

J-GLOBAL ID：201302235506198552   Reference number：12A1798848

Scanning nonlinear dielectric microscopy observation of accumulated charges in metal-SiO₂-SiN-SiO₂-Si flash memory by detecting higher-order nonlinear permittivity

高次の非線形誘電率の検出による金属-SiO₂-SiN-SiO₂-Siから成るフラッシュメモリーに蓄積された電荷の走査型非線形誘電率顕微鏡観察

Author (2)： HONDA Koichiro (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., 2-1-1, Katahira Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  CHO Yasuo (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., 2-1-1, Katahira Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 101  Issue： 24  Page： 242101-242101-5  Publication year： Dec. 10, 2012 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *microscopy ,  *permittivity ,  microscope ,  electrostatic capacity ,  *flash memory ,  visualization ,  *silicon dioxide ,  *silicon nitride ,  silicon ,  multilayer film ,  semiconductor thin film ,  *capacitance-voltage characteristic ,  electric charge distribution
Semi thesaurus term： scanning microscope ,  *非線形誘電率

JST classification (1)： Electronic recording,magnetic recording,optical recording  (NC06020F)

Terms in the title (10)： 非線形 ,  誘電率 ,  SiO2 ,  SiN ,  Si ,  フラッシュメモリー ,  蓄積 ,  電荷 ,  走査型非線形誘電率顕微鏡 ,  観察