Art

J-GLOBAL ID：201302236313366233   Reference number：13A1595541

Electrical Creation of Spin Polarization into Ge Using Ferromagnetic Tunnel Contact

狭ギャップ半導体およびシリコンスピントロニクスの最近の話題 強磁性トンネル接合を用いたGeへの電気的スピン偏極電子生成

Author (1)： SAITO HIDEKAZU (産業技術総合研 ナイスピントロニクス研究セ)
Material： まぐね  (Magnetics Japan)
Volume： 8  Issue： 5  Page： 237-243  Publication year： Oct. 01, 2013 
JST Material Number： L5842A  ISSN： 1880-7208  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： spintronics ,  *spin polarization ,  carrier ,  *tunnel junction ,  germanium ,  carrier mobility ,  signal detection ,  compound semiconductor ,  electric control ,  electron ,  ferromagnet ,  Schottky barrier ,  silicide ,  silicon ,  effect ,  magnesium oxide ,  potential barrier ,  *injection(pour) ,  literature review
Semi thesaurus term： Hanle effect ,  シリコンスピントロニクス ,  *spin injection ,  tunnel barrier ,  narrow gap semiconductor ,  *MTJ ,  charge carrier ,  Review Literature ,  偏極電子

JST classification (2)： Solic-state devices in general  (NC03010Z) ,  Electrical properties of interfaces in general  (BM03081H)

Reference (56)：

• DATTA, S. Appl. Phys. Lett. 1990, 56, 665
• SUGAHARA, S. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 2307
• OHNO, Y. Nature. 1999, 402, 790
• ZHU, H. J. Phys. Rev. Lett. 2001, 87, 016601
• HANBICKI, A. T. Appl. Phys. Lett. 2002, 84, 1240

Terms in the title (8)： ギャップ ,  シリコン ,  スピントロニクス ,  話題 ,  強磁性トンネル接合 ,  Ge ,  スピン偏極 ,  電子生成