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J-GLOBAL ID：201302241907448322   Reference number：13A1331900

A Fully Functional 64Mb DDR3 ST-MRAM Built on 90nm CMOS Technology

90nmCMOS技術で作られた完全機能化64Mb DDR3 ST-MRAM

Author (15)： RIZZO N. D. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  HOUSSAMEDDINE D. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  JANESKY J. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  WHIG R. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  MANCOFF F. B. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  SCHNEIDER M. L. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  DEHERRERA M. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  SUN J. J. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  NAGEL K. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  DESHPANDE S. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  CHIA H.-J. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  ALAM S. M. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  ANDRE T. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  AGGARWAL S. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  SLAUGHTER J. M. (Everspin Technol., AZ, USA)
Material： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Trans Magn)
Volume： 49  Issue： 7  Page： 4441-4446  Publication year： Jul. 2013 
JST Material Number： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *CMOS structure ,  *magnetoresistive random access memory ,  magnetic memory ,  *tunnel junction ,  *magnetoresistance effect ,  *Torque ,  *nonvolatile memory ,  magnesium oxide ,  potential barrier ,  *data transfer ,  transmission speed ,  *magnetization characteristic ,  cobalt compound ,  iron compound ,  boron compound ,  magnetic tunnel junction ,  spin torque ,  *MOS structure
Semi thesaurus term： tunnel barrier ,  DDR3 ,  free layer

JST classification (2)： Memory units  (JC04060F) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)