Art

J-GLOBAL ID：201302242791812583   Reference number：13A0636461

Individual Dopant Nature in Si Lateral Nano-pn Junctions

シリコン横型ナノpn接合におけるドーパントの個別性

Author (11)： PURWIYANTI Sri (Sizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  PURWIYANTI Sri (Universitas Indonesia, Depok, IDN) ,  UDHIARTO Arief (Sizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  UDHIARTO Arief (Universitas Indonesia, Depok, IDN) ,  NOWAK Roland (Sizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  NOWAK Roland (Warsaw Univ. of Technol., Warsaw) ,  MORARU Daniel (Sizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  MIZUNO Takeshi (Sizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  HARTANTO Djoko (Universitas Indonesia, Depok, IDN) ,  JABLONSKI Ryszard (Warsaw Univ. of Technol., Warsaw) ,  TABE Michiharu (Sizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 112  Issue： 445(ED2012 128-143)  Page： 25-30  Publication year： Feb. 20, 2013 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,  nanostructure ,  *PN junction ,  transverse type ,  *dopant ,  semiconductor device ,  ultrathin film ,  *semiconductor process ,  photoirradiation ,  depletion layer
Semi thesaurus term： *silicon-on-insulator ,  silicon ,  device characteristic ,  super thin film

JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Terms in the title (5)： シリコン ,  横型 ,  PN接合 ,  ドーパント ,  個別性