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J-GLOBAL ID：201302243507377194   Reference number：13A0988551

A High-Temperature Nitrogen Plasma Etching for Preserving Smooth and Stoichiometric GaN Surface

平滑で化学量論的GaN表面を保持するための高温窒素プラスマエッチング

Author (6)： KOMETANI Ryosuke (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ISHIKAWA Kenji (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKEDA Keigo (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KONDO Hiroki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SEKINE Makoto (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HORI Masaru (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 6  Issue： 5  Page： 056201.1-056201.4  Publication year： May. 25, 2013 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： high temperature ,  Nitrogen ,  *plasma etching ,  Argon ,  *gallium nitride ,  *semiconductor thin film ,  substrate (plate) ,  *surface roughness ,  aggregation ,  compound semiconductor ,  *smoothness ,  *stoichiometry ,  morphology (form) ,  substrate temperature ,  *ion collision ,  surface morphology

JST classification (1)： Applications of plasma  (BJ02110K)

Reference (35)：

• NAKAMURA, S. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1687
• FANG, Z.-Q. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1562
• HAHN, H. Semicond. Sci. Technol. 2012, 27, 055004
• HASHIZUME, T. Appl. Surf. Sci. 2004, 234, 387
• MORKOC, H. J. Appl. Phys. 1994, 76, 1363

Terms in the title (4)： GaN ,  窒素 ,  プラスマ ,  エッチング