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J-GLOBAL ID：201302251330609386   Reference number：13A1222886

Suppression of GeO_x with rutile TiO₂ Interlayer between HfO₂ and Ge

HfO₂/Ge界面へのルチル型TiO₂挿入によるGeO_x生成の抑制

Author (8)： KOBASHI KAZUYOSHI (明治大) ,  KOBASHI KAZUYOSHI (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点) ,  NAGATA TAKAHIRO (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点) ,  NABATAME TOSHIHIDE (明治大) ,  NABATAME TOSHIHIDE (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点) ,  YAMASHITA YOSHIYUKI (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点) ,  OGURA ATSUSHI (明治大) ,  CHIKYO TOYOHIRO (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 113  Issue： 87(SDM2013 44-64)  Page： 25-28  Publication year： Jun. 11, 2013 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： titanium oxide ,  hafnium oxide ,  *germanium oxide ,  *dielectric material ,  dielectric thin film ,  surface level ,  carrier mobility ,  passivation ,  rutile type crystal ,  film thickness ,  *MOSFET ,  CMOS structure
Semi thesaurus term： complementary metal oxide semiconductor field effect transistor ,  EOT ,  *high-k material ,  passivation ,  interface state

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： HfO2 ,  Ge ,  界面 ,  ルチル ,  TiO2