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J-GLOBAL ID：201302251867816787   Reference number：13A0851686

3C-SiC/Si(001)界面における積層欠陥の収差補正TEM解析

Author (7)： YAMASAKI JUN (名大 エコ研) ,  INAMOTO SHIN (名古屋大 工) ,  NOMURA YUKI (名古屋大 工) ,  ISHIDA ATSUSHI (名古屋大 工) ,  AKIYAMA KENSUKE (神奈川県産技セ) ,  HIRABAYASHI YASUO (神奈川県産技セ) ,  TANAKA NOBUO (名大 エコ研)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 60th  Page： ROMBUNNO.30A-B1-5  Publication year： Mar. 11, 2013 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *electron microscopy ,  transmission electron microscope ,  *stacking fault ,  *interface (surface) ,  silicon carbide ,  cubic system ,  crystal orientation ,  silicon ,  carbonization (chemical reaction) ,  chemical vapor deposition ,  *aberration correction ,  compound semiconductor ,  3C-silicon carbide ,  *lattice defect
Semi thesaurus term： 3C-SiC ,  carbonization

JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Microscopy determination of structures  (BK01040E)

Terms in the title (7)： 3C-SiC ,  Si ,  界面 ,  積層欠陥 ,  収差補正 ,  TEM ,  解析