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J-GLOBAL ID：201302254481328698   Reference number：13A0009133

Crystallization to polycrystalline silicon thin film and simultaneous inactivation of electrical defects by underwater laser annealing

水中レーザアニールによる多結晶シリコン薄膜への結晶化および電気的欠陥の同時不活化

Author (5)： MACHIDA Emi (Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, JPN) ,  HORITA Masahiro (Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, JPN) ,  ISHIKAWA Yasuaki (Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, JPN) ,  URAOKA Yukiharu (Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, JPN) ,  IKENOUE Hiroshi (Graduate School of Information Sci. and Electrical Engineering, Kyushu Univ., 744 Motooka Nishi-ku, Fukuoka 819-0395 ...)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 101  Issue： 25  Page： 252106-252106-4  Publication year： Dec. 17, 2012 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *laser annealing ,  underwater ,  polycrystal ,  silicon ,  semiconductor ,  semiconductor thin film ,  amorphous semiconductor ,  *crystallization ,  *polysilicon ,  pure water ,  crystal grain size (diameter) ,  mean value ,  carrier lifetime ,  *amorphous silicon

JST classification (2)： Laser irradiation effects and damages  (BK16040S) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (7)： 水中 ,  レーザアニール ,  多結晶 ,  シリコン薄膜 ,  結晶化 ,  欠陥 ,  不活化