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J-GLOBAL ID：201302258177803733   Reference number：13A0673042

REGROWTH CHARACTERISTICS OF SiGe/Si BY IBIEC

IBIECによるSiGe/Siの再成長の特性評価

Author (4)： AWANE K. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  SEKINE W. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  MIYASHITA M. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO Y. (Hosei Univ., Tokyo, JPN)
Material： Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement  (法政大学イオンビーム工学研究所報告 別冊)
Issue： 31  Page： 55-58  Publication year： Mar. 2013 
JST Material Number： L0263A  ISSN： 0914-2908  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： spectroscopy ,  silicon ,  *germanium base alloy ,  silicon containing alloy ,  solid solution ,  ion irradiation ,  amorphization ,  *amorphous semiconductor ,  Germanium ,  crystal growth ,  ion channeling ,  epitaxy ,  transmission electron microscope ,  dislocation loop ,  lattice image ,  *crystallization ,  Rutherford back scattering spectrometry ,  re-growth
Semi thesaurus term： amorphization ,  *epitaxial growth

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： SiGe ,  Si ,  再成長 ,  特性評価