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J-GLOBAL ID：201302266636592050   Reference number：13A1553541

TiO₂ Thin Film Transistor by Atomic Layer Deposition

原子層堆積によるTiO₂薄膜トランジスタ

Author (4)： OKYAY Ali K. (Bilkent Univ., Ankara, TUR) ,  ORUC Feyza B. (Bilkent Univ., Ankara, TUR) ,  CIMEN Furkan (Bilkent Univ., Ankara, TUR) ,  AYGUEN Levent E. (Bilkent Univ., Ankara, TUR)
Material： Proceedings of SPIE  (Proceedings. SPIE - The International Society for Optical Engineering)
Volume： 8626  Page： 862616.1-862616.7  Publication year： 2013 
JST Material Number： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *thin film transistor ,  *titanium oxide ,  chemical vapor deposition ,  *monoatomic layer ,  transparent material ,  band gap ,  photocatalyst ,  anatase-type crystal ,  rutile type crystal ,  ultraviolet radiation ,  scanning electron microscope ,  X-Ray Diffraction ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  current-voltage characteristic ,  wavelength dependence
Semi thesaurus term： ALD

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： 原子層堆積 ,  TiO2 ,  薄膜トランジスタ