Art

J-GLOBAL ID：201302268756038130   Reference number：13A0363670

Growth of InGaSb Alloy Semiconductor Bulk Crystals under Microgravity

微小重力環境下における混晶半導体バルク結晶成長

Author (5)： HAYAKAWA YASUHIRO (静岡大学電子工学研究所) ,  ARIVANANDHAN Mukannan (静岡大学電子工学研究所) ,  OKANO YASUNORI (大阪大学大学院基礎工学研究科) ,  OZAWA TETSUO (静岡理工科大学理工学部) ,  INATOMI YUKO (宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所)
Material： 表面科学  (JSSSJ)
Volume： 33  Issue： 12  Page： 687-693 (J-STAGE)  Publication year： 2012 
JST Material Number： F0940B  ISSN： 0388-5321  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *microgravity ,  testing device ,  towering structure ,  Marangoni convection ,  experiment ,  space shuttle ,  mixing ,  diffusion rate-controlling ,  semiconductor alloys ,  gallium ,  antimony ,  indium ,  *crystal growth ,  environment simulation
Semi thesaurus term： Space Simulation ,  gravitational experiment ,  *semiconductor crystal growth ,  melt blending ,  drop tube

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (36)：

• 1) 石川正道,日比谷孟俊: “マイクログラビティ” (倍風館,1994).
• 2) 藤森義典: “人類は宇宙へむかう” (オーム社,1995).
• 3) J.F. Yee, M.C. Lin, K. Sarma and M.R. Wilcox: J. Cryst. Growth 300, 185 (1975).
• 4) I. Martinez and A. Eyer: J. Cryst. Growth 75, 535 (1986).
• 5) A.N. Danilewsky and K.W. Benz: J. Cryst. Growth 97, 571 (1990).

Terms in the title (4)： 微小重力環境 ,  混晶半導体 ,  バルク ,  結晶成長