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J-GLOBAL ID：201302272421460412   Reference number：13A1722167

Pt錯体ドープAlq₃を発光層に用いた近赤外燐光有機EL素子の過渡特性

Author (4)： UEDA TATSUYA (大阪大 大学院) ,  KONISHI MASAHIRO (大阪大 大学院) ,  KAJII HIROTAKE (大阪大 大学院) ,  OMORI YUTAKA (大阪大 大学院)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 74th  Page： ROMBUNNO.18P-C4-13  Publication year： Aug. 31, 2013 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *light emitting diode ,  *phosphorescence ,  *transient response ,  organic semiconductor ,  electroluminescence ,  platinum complex ,  near infrared radiation ,  *carrier mobility ,  frequency response
Semi thesaurus term： emission layer ,  *organic EL device

JST classification (2)： Light emitting devices  (NC03082G) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Substance index (2)： Aluminum tris(quinoline-8-olate) ,  NPB

Terms in the title (8)： Pt ,  錯体 ,  ドープ ,  発光層 ,  近赤外 ,  燐光 ,  有機EL素子 ,  過渡特性