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J-GLOBAL ID：201302273162561848   Reference number：13A1077183

Electron-tunneling operation of single-dopant-atom transistors at elevated temperature-Toward room temperature operation

単一ドーパント原子トランジスタの電子トンネル輸送高温化-室温動作に向けて-

Author (8)： MORARU Daniel (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  HAMID Earfan (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SAMANTA Arup (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  ANH Le The (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol.) ,  MIZUNO Takeshi (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  MIZUTA Hiroshi (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol.) ,  MIZUTA Hiroshi (Univ. Southampton, GBR) ,  TABE Michiharu (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 113  Issue： 40(CPM2013 1-21)  Page： 65-70  Publication year： May. 09, 2013 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *single electron tunnel effect ,  scale ,  *FET ,  *electric current ,  dopant ,  temperature dependence ,  switching ,  channel ,  potential barrier ,  confinement ,  computer simulation ,  high temperature ,  *room temperature
Semi thesaurus term： tunnel barrier ,  *tunnel current ,  nanoscale ,  誘電閉込め

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： ドーパント ,  原子 ,  トランジスタ ,  電子 ,  トンネル ,  輸送 ,  高温化 ,  室温