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J-GLOBAL ID：201302274531865631   Reference number：13A1222894

Resistive Switching Properties of SiO_x/TiO₂ Multi-Stack in Ti-electrode MIM Diodes

SiO_x/TiO₂積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価

Author (6)： OTA AKIO (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  FUKUSHIMA MOTOKI (名古屋大 大学院工学研究科) ,  MAKIHARA KATSUNORI (名古屋大 大学院工学研究科) ,  MURAKAMI HIDEKI (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  HIGASHI SEIICHIRO (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  MIYAZAKI SEIICHI (名古屋大 大学院工学研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 113  Issue： 87(SDM2013 44-64)  Page： 61-66  Publication year： Jun. 11, 2013 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *RAM ,  electric resistance ,  permittivity ,  *MIM structure ,  RF sputtering ,  molecular structure ,  photoelectron spectrometry ,  current-voltage characteristic ,  *chemical bond ,  silicon oxide ,  titanium oxide ,  chemical constitution ,  *resistance random access memory
Semi thesaurus term： *resistive random access memory ,  relative permittivity

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (5)： TiO2 ,  MIM ,  ダイオード ,  抵抗変化 ,  特性評価