Art

J-GLOBAL ID：201302278712977003   Reference number：13A0780159

Orientation Control of Large-Grained Si Films on Insulators by Thickness-Modulated Al-Induced Crystallization

厚さを調節したAl誘導結晶化による絶縁体上の大きな粒状Si膜の配向制御

Author (6)： NUMATA Ryohei (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  TOKO Kaoru (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SAITOH Noriyuki (Electron Microscope Facility, Tsukuba, JPN) ,  YOSHIZAWA Noriko (Electron Microscope Facility, Tsukuba, JPN) ,  USAMI Noritaka (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  SUEMASU Takashi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
Material： Crystal Growth & Design  (Cryst Growth Des)
Volume： 13  Issue： 4  Page： 1767-1770  Publication year： Apr. 2013 
JST Material Number： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *alumina ,  thin film ,  substrate (plate) ,  *thickness ,  *silicon ,  atomic beam ,  beam focusing ,  *chemical vapor deposition ,  amorphous state ,  *crystal orientation ,  polycrystal ,  laminate structure ,  crystal grain size ,  nanowire ,  solar cell ,  epitaxy ,  *silicon dioxide ,  beam
Semi thesaurus term： *silica

JST classification (2)： Solid-solid interface  (CB12060M) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： 調節 ,  Al ,  誘導 ,  結晶化 ,  絶縁体 ,  Si膜 ,  配向制御