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J-GLOBAL ID：201302281518697874   Reference number：13A0026546

The Effect of Carrier Transport and Thermal Activation Processes on Non-radiative Carrier Recombination Processes in InN Films

InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響

Author (5)： IMAI DAICHI (千葉大 大学院工学研究科) ,  ISHITANI YOSHIHIRO (千葉大 大学院工学研究科) ,  WANG Xinqiang (北京大 物理学院) ,  KUSAKABE KAZUHIDE (千葉大 スマートグリーンイノベーション研究拠点) ,  YOSHIKAWA AKIHIKO (千葉大 スマートグリーンイノベーション研究拠点)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 112  Issue： 327(ED2012 65-92)  Page： 103-108  Publication year： Nov. 22, 2012 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *indium phosphide ,  *carrier recombination ,  *recombination radiation ,  radiationless transition ,  *carrier diffusion ,  activation ,  thermal effect ,  light emission ,  band gap ,  energy conversion efficiency ,  deep level ,  emission ,  electron capture ,  recombination center ,  N-type semiconductor ,  P-type semiconductor ,  radiant intensity ,  minority carrier ,  activation energy
Semi thesaurus term： non-radiative recombination ,  carrier transport ,  heat activation ,  band edge emission ,  luminous efficiency ,  forbidden band ,  phonon emission ,  emission intensity

JST classification (2)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (5)： InN ,  輻射性 ,  キャリア ,  キャリア輸送 ,  熱活性化過程