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J-GLOBAL ID：201302283797523140   Reference number：13A0083368

Local potential profiling of operating carbon nanotube transistor using frequency-modulation high-frequency electrostatic force microscopy

周波数変調高周波静電力顕微鏡を使った作動しているカーボンナノチューブトランジスタの局所電位プロファイリング

Author (5)： ITO Masanao (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, JPN) ,  KOBAYASHI Kei (Office of Society-Academia Collaboration for Innovation, Kyoto Univ., Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8520, JPN) ,  MIYATO Yuji (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, JPN) ,  MATSUSHIGE Kazumi (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, JPN) ,  YAMADA Hirofumi (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 102  Issue： 1  Page： 013115-013115-5  Publication year： Jan. 07, 2013 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： FET ,  force microscope ,  *electric potential distribution ,  single-walled carbon nanotube ,  frequency modulation ,  *surface potential ,  *carbon nanotube FET ,  *electrostatic force microscope
Semi thesaurus term： *electrostatic force microscope

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Microscopy determination of structures  (BK01040E)

Terms in the title (3)： 周波数変調 ,  静電力顕微鏡 ,  プロファイリング