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J-GLOBAL ID：201302284227130140   Reference number：13A0779539

Self-Assembled Incorporation of Modulated Block Copolymer Nanostructures in Phase-Change Memory for Switching Power Reduction

スイッチング電力低減のための相変化メモリにおける変調ブロック共重合体ナノ構造の自己集合組み込み

Author (12)： PARK Woon Ik (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  YOU Byoung Kuk (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  MUN Beom Ho (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  SEO Hyeon Kook (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  SEO Hyeon Kook (IBS, Daejeon, KOR) ,  LEE Jeong Yong (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  LEE Jeong Yong (IBS, Daejeon, KOR) ,  HOSAKA Sumio (Gunma Univ., Gunma, JPN) ,  YIN You (Gunma Univ., Gunma, JPN) ,  ROSS C. A. (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  LEE Keon Jae (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  JUNG Yeon Sik (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR)
Material： ACS Nano
Volume： 7  Issue： 3  Page： 2651-2658  Publication year： Mar. 2013 
JST Material Number： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *self assembly ,  *block copolymer ,  *nanostructure ,  *nonvolatile memory ,  *phase transition ,  switching ,  *energy saving ,  consumed electric power ,  chalcogenide ,  high speed ,  scalability ,  silicon dioxide ,  memory element ,  temperature distribution ,  electric contact hole ,  phase change random access memory
Semi thesaurus term： phase change memory ,  power reduction

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (8)： スイッチング ,  電力低減 ,  相変化メモリ ,  変調 ,  ブロック共重合体 ,  ナノ構造 ,  自己集合 ,  組み込み