Art

J-GLOBAL ID：201302291948019484   Reference number：13A1682578

Low-Temperature Microwave Annealing for MOSFETs With High-k/Metal Gate Stacks

高k/金属のゲートスタックを有するMOSFET用の低温マイクロ波アニーリング

Author (8)： LEE Yao-Jen (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  TSAI Bo-An (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LAI Chiung-Hui (Chung Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Zheng-Yao (Chung Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  HSUEH Fu-Kuo (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN) ,  SUNG Po-Jung (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN) ,  CURRENT Michael I. (Current Scientific, CA, USA) ,  LUO Chih-Wei (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 34  Issue： 10  Page： 1286-1288  Publication year： Oct. 2013 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *annealing (heat treatment) ,  *MOSFET ,  RTA ,  film thickness ,  dielectrics ,  *microwave heating ,  gate (semiconductor) ,  *high-k dielectrics
Semi thesaurus term： *EOT ,  annealing (heat treatment) ,  *gate stack

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： ゲートスタック ,  MOSFET ,  低温 ,  マイクロ波 ,  アニーリング