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J-GLOBAL ID：201302293226189213   Reference number：13A1406979

環状チアジルラジカル分子の扱着によるAg薄膜の量子井戸準位の変調

Author (5)： HAYASHIDA TAKASHI (千葉大) ,  SUIZU RIE (千葉大) ,  SHUKU YOSHIAKI (名古屋大 物質科学国際研セ) ,  AWAGA KUNIO (名古屋大 物質科学国際研セ) ,  SAKAMOTO KAZUYUKI (千葉大)
Material： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
Volume： 68  Issue： 2 第4分冊  Page： 811  Publication year： Aug. 26, 2013 
JST Material Number： S0671B  ISSN： 1342-8349  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： acyl radical ,  sulfide (chalcogenide) ,  *Silver ,  *metallic thin film ,  *quantum well ,  *Adsorption ,  surface level ,  interface (surface) ,  angle resolved spectroscopy ,  Photoelectron Spectroscopy ,  band structure ,  biradical ,  silicon ,  angle-resolved photoemission spectroscopy ,  *Molecular adsorption
Semi thesaurus term： surface state

JST classification (1)： Electronic structure of surfaces  (BM02080J)

Terms in the title (6)： 環状 ,  分子 ,  Ag ,  薄膜 ,  量子井戸 ,  変調