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J-GLOBAL ID：201302299812261347   Reference number：13A0321948

Growth of corundum-structured In₂O₃ thin films on sapphire substrates with Fe₂O₃ buffer layers

Fe₂O₃緩衝層を有するサファイア基板上へのコランダム構造型In₂O₃薄膜の成長

Author (3)： SUZUKI Norihiro (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Katsura, Kyoto 615-8510, JPN) ,  KANEKO Kentaro (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Katsura, Kyoto 615-8510, JPN) ,  FUJITA Shizuo (Photonics and Electronics Sci. and Engineering Center, Kyoto Univ., Katsura, Kyoto 615-8520, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 364  Page： 30-33  Publication year： Feb. 01, 2013 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *corundum type crystal ,  *indium oxide ,  substrate (plate) ,  sapphire ,  *buffer layer ,  iron oxide ,  trigonal system ,  X-Ray Diffraction ,  *carrier mobility ,  *carrier density ,  compound semiconductor ,  *semiconductor thin film ,  *chemical vapor deposition ,  electron mobility ,  electron concentration ,  mist CVD ,  ore ,  precious stone

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Electric conduction in other inorganic compounds  (BM03044O)

Terms in the title (6)： Fe2O3 ,  緩衝層 ,  サファイア基板 ,  コランダム ,  薄膜 ,  成長