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J-GLOBAL ID：201303006457092659

低速陽電子輝度増強用透過型減速材の製造方法、低速陽電子輝度増強用透過型減速材、低速陽電子ビームの輝度増強方法、高輝度低速陽電子ビーム発生装置および陽電子顕微鏡

Inventor： 藤浪 眞紀 ,  鈴木 良一 ,  大平 俊行 ,  大島 永康
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 千葉大学 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 久保田 芳譽
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007150900
Publication number (International publication number)：2008304276
Patent number：4984063
Application date： Jun. 06, 2007
Publication date： Dec. 18, 2008
Claim (excerpt)：

【請求項1】(1)厚さが100nm〜200nmであるニッケル薄膜を、水素ガス雰囲気中で700°C〜800°Cの温度範囲で熱処理し、次いで(2)水素ガス圧が0.001333 Pa(10-5Torr)以上、0.013332 Pa(10-4 Torr)未満である水素ガス雰囲気中で、該水素ガスを電子衝撃することにより生成した水素原子および/または水素イオンで、前記熱処理をしたニッケル薄膜を衝撃して、該ニッケル薄膜の表面を清浄にすることを特徴とする低速陽電子輝度増強用透過型減速材の製造方法。

IPC (4)：

G21K 3/00 ( 200 6.01) ,  G21K 1/00 ( 200 6.01) ,  G21K 5/04 ( 200 6.01) ,  H01J 37/06 ( 200 6.01)

FI (5)：

G21K 3/00 M ,  G21K 1/00 E ,  G21K 3/00 Y ,  G21K 5/04 M ,  H01J 37/06 A